參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2453
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, U-G2, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SD2453
2SD2453
2
SJD00268AED
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
Safe operation area
0
12
10
8
6
4
2
0
200
40
80
160
120
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Without heat sink
0
12
2
10
4
8
6
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
C
=25C
I
B
=1.2mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
1mA
0
1.2
0.2
1.0
0.4
0.8
0.6
0
1
2
3
5
4
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
C
C
Collector current I
C
(A)
I
C
/I
B
=40
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
10
10
2
10
3
10
4
F
F
Collector current I
C
(A)
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
10
10
2
10
3
10
4
Collector current I
C
(A)
T
T
V
CE
=12V
f=200MHz
T
C
=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
CP
I
C
t=10ms
t=1s
t=1ms
Non repetitive pulse
T
C
=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2454 2SD2454
2SD2457 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SD2459 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2460 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2461 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD245300L 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD24570QL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD24590RL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD24590SL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD246 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 4.5A 16W BEC
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*