參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2440
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITHCING APPLICATIONS)
中文描述： npn型三重?cái)U(kuò)散型（SWITHCING申請(qǐng)）
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： 2SD2440
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PDF描述
2SD2441 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2449 TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SD2453 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD2454 2SD2454
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參數(shù)描述
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2SD2444KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2444KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 15V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD245300L 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 2A U-G2 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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