參數(shù)資料
型號： 2SD2438
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FM100, TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SD2438
151
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(Complement to type 2SB1587)
Application :
Audio, Series Regulator and General Purpose
External Dimensions
FM100(TO3PF)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SD2438
160
150
5
8
1
75(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
OB
2SD2438
100
max
100
max
150
min
5000
min
2.5
max
3.0
max
80
typ
85
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=160V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
=4V, I
C
=6A
I
C
=6A, I
B
=6mA
I
C
=6A, I
B
=6mA
V
CE
=12V, I
E
=–1A
V
CB
=10V, f=1MHz
Darlington
2S D2438
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
25mA
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Safe Operating Area
(Single Pulse)
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
0
2
4
6
8
2
4
6
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
1A
20mA
1.5mA
1.3mA
1.0mA
0.8mA
0.5mA
I
B
=0.3mA
02
0.5
1
5
8
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=4V)
1000
5000
10000
40000
Typ
0.2
1
4
0.5
1
10
100
1000
5
50
500
2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
0
8
6
4
2
0
2
2.5
1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=4V)
1(sTp
2 se)
–CaTp
80
60
40
20
3.5
00
50
100
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
10ms
100ms
10
50
5
3
100
200
0.05
0.1
1
0.5
10
20
5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
DC
0
3
2
1
0.2
1
0.5
10
5
200
100
50
Base Current I
B
(mA)
C
C
(
I
C
=4A
I
C
=6A
I
C
=8A
(V
CE
=4V)
0.2
0.5
5
8
1
Collector Current I
C
(A)
D
F
1000
500
5000
10000
50000
125C
25C
–30C
0
–0.1
–1
–8
20
40
120
100
80
60
C
T
(
Z
)
(V
CE
=12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
Without Heatsink
Natural Cooling
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
60
R
L
(
)
10
I
C
(A)
6
V
(V)
–2
I
(mA)
–6
t
on
(
μ
s)
0.6typ
t
stg
(
μ
s)
10.0typ
t
f
(
μ
s)
0.9typ
I
( mA)
6
V
(V)
10
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
B
C
E
(70
)
Equivalent circuit
h
FE
Rank
O(5000to12000), P(6500to20000), Y(15000to30000)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2439 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD2470 Low VCE(sat) Transistor(低VCE(sat)晶體管)
2SD2493 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD2494 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
2SD2495 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴(kuò)散平面達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2439 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF
2SD2440(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
2SD244100L 功能描述:TRANS NPN LF 10VCEO 1.5A MINIPWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2444KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2444KT146R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 15V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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