參數(shù)資料
型號： 2SD2396H
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至220VAR
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： 2SD2396H
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PDF描述
2SD2396J TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220VAR
2SD2396K Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2400AD TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220VAR
2SD2400AE Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2400D TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2396J 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2396K 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2396-K 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2400A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB:B1BABL000019
2SD2400AE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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