參數(shù)資料
型號(hào): 2SD235
廠商: 永盛國(guó)際集團(tuán)
英文描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
中文描述: npn型外延硅晶體管(低頻功率放大器)
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商: 2SD235
2SD235
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
TO-220
!
Complement to 2SB435
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation (Tc=25
)
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
Tstg
50
40
5
3
25
150
-50~150
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE(sat)
f
T
V
CB
= 50V , I
E
=0
V
EB
= 5V , I
C
=
0
V
CE
= 5V , I
C
=0.5A
I
C
=3A , I
B
=0.3A
V
CE
= 2V , I
C
=0.5A
40
18
10
10
240
1.0
μ
A
μ
A
V
MHZ
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2383 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE SWITCHING
2SD2389 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SD2390 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)
2SD2391T100Q BJT
2SB1520
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2351T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2351T106V 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2351T106W 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2353(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD235800A 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 1A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR