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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2345GS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 223K |
| 代理商： | 2SD2345GS |
2SD2345G
2
SJC00408AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
NV
I
C
NV
V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
150
125
100
75
50
25
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
012
10
8
26
4
0
160
120
40
100
140
80
20
60
Ta
= 25°C
20
A
30
A
40
A
50
A
60
A
70
A
80
A
90
A
10
A
IB
= 100 A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
1 800
1 500
1 200
900
600
300
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
250
200
150
100
50
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0
8
6
2
5
7
4
1
3
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
0.01
0.1
1
0
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
GV
= 80 dB
Function
= FLAT
Ta
= 25°C
5 k
Rg
= 100 k
22 k
Noise
voltage
NV
(mV
)
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
100
80
60
40
20
IC
= 1 mA
GV
= 80 dB
Function
= FLAT
Ta
= 25°C
5 k
Rg
= 100 k
22 k
Noise
voltage
NV
(mV
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD2352 | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2387-C | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2387C | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2387B | 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2351T106W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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