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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2341R |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | MT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | 2SD2341R |
Power Transistors
359
2SD2341
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Without heat sink
Ambient temperature T
a
(C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
024
420
816
12
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
IB=7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
TC=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
01.2
0.2
1.0
0.4
0.8
0.6
TC=100C
25C
–25C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
IC/IB=10
TC=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
0.03
0.3
3
10
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
VCE=10V
25C
–25C
TC=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
240
200
160
120
80
40
VCB=10V
f=200MHz
TC=25C
Emitter current I
E
(mA)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
0.01
0.03
13
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1000
ICP
IC
t=1s
t=1ms
t=5ms
Non repetitive pulse
TC=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–1
1
10
102
104
103
10–4
104
103
102
10
1
10–1
10–2
10–3
Without heat sink
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(
C/W
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2343/P | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD2343P | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2345T | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2375P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2384 | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2342 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3P150V 6A 50W BCE |
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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