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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2293 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SD2293 |
2SD2293
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to emitter voltage
V
CES
1500
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6
V
Collector current
I
C
3
A
Collector peak current
I
C(peak)
3.5
A
Collector surge current
I
C(surge)
10
A
Collector power dissipation
P
C*
1
50
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
I
D
3.5
A
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
—
V
I
E = 300 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CES
—
500
A
V
CE = 1500 V, RBE = 0
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
5
V
I
C = 2.5 A, IB = 0.8 A
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
1.5
V
I
C = 2.5 A, IB = 0.8 A
C to E diode forward voltage
V
ECF
—
2.2
V
I
F = 3 A
Fall time
t
f
—
0.8
s
I
CP = 2.75 A, IB1 = 0.6 A,
f
H = 15.75 kHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SD2296 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Bipolar Transistors |
| 2SD2297 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Bipolar Transistors |
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