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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2263 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SD2263 |
2SD2263
4
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
1
3
10
30
100
300
1,000
10
30
100
300
1,000
D
F
V
CE
= 2 V
Saturation Voltage vs. Collector Current
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Collector Current I
C
(mA)
1
3
10
30
100
300
1,000
C
V
C
(
B
V
B
(
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
l
C
= 10 l
B
Typical Characteristics of
Emitter to Collector Diode
Emitter to Collector Forward Voltage
V
ECF
(V)
D
D
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
1
3
10
30
100
300
1,000
10
30
100
300
1,000
G
T
V
CE
= 2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD2264R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2264S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2264TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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