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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2253 |
| 廠商： | 永盛國(guó)際集團(tuán) |
| 英文描述： | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散力 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | 2SD2253 |
GENERAL DESCRIPTION
HORIZONAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH
RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV
High Speed Switching Applications
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
SYMBOL
V
CB0
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
PARAMETER
Collector-Base voltage
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
CONDITIONS
TYP
-
-
-
-
-
-
MAX
1700
600
6
12
50
5
UNIT
V
V
A
A
W
V
T
mb
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
25
V
F
t
f
Diode forward voltage
Fall time
I
F
= 6.0A
I
Csat
= 6.0A; f = 16KHz
1.6
0.3
2.0
0.7
V
s
SYMBOL
V
CB0
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
PARAMETER
Collector-Base voltage
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Base current (DC)
Base current peak value
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
CONDITIONS
MIN
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
MAX
1700
600
6
12
3
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
Tmb
25
50
150
150
SYMBOL
I
CE0
PARAMETER
Collector cut-off current
CONDITIONS
VCB =170 0V;
x
TYP
MAX
1.0
UNIT
mA
-
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
V
F
f
T
t
t
f
Collector-emitter saturation voltages
Base-emitter satuation voltage
DC current gain
Diode forward voltage
Transition frequency
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
I
C
= 5.0A; I
B
= 1.0A
I
C
= 1A; V
CE
= 5V
I
F
= 6.0A
I
C
= 0.1A; V
CE
= 10V
-
-
8
1.6
1
5
1.2
28
2.0
-
V
V
V
MHz
Turn-off storage time Turn-off fall time
I
C
=6A,I
B(end)
=1.5A,
0.3
0.7
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TO-3PM
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: ws@
wingshing
.com
2SD2253
Silicon NPN Triple Diffused Power Transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD2264 | Low Frequency Transistor(20V, 3A) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD2254 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD2255 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification |
| 2SD2256 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD2257 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SD2257(CANO,A,Q) | 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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