參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2216
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 36K
代理商： 2SD2216
1
Transistor
2SD2216
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification
Complementary to 2SB1462
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
60
50
7
200
100
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 2mA
V
CE
= 2V, I
C
= 100mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CB
= 10V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
60
50
7
160
90
typ
0.1
150
3.5
max
0.1
100
460
0.3
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
Marking symbol :
Y
*
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE1
160 ~ 260
210 ~ 340
290 ~ 460
Marking Symbol
YQ
YR
YS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD221 NPN Transistor
2SD219 NPN Transistor
2SD220 NPN Transistor
2SD2220 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification)
2SD2222 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2216G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SD2216J0L 功能描述:TRANS NPN LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2216L 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Amplification
2SD2217 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
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