型號(hào): | 2SD2211T100/NP |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 117K |
代理商: | 2SD2211T100/NP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1561T101/P | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD1918TL/N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1834F5/R | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1898T101/R | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1181F5/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD2211T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2211T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2212 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A) |
2SD2212T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2SD2213 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington |