參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2177
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SD2177
Transistors
2SD2177
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SB1434
I
Features
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
Ccomplementary pair with 2SB1434
Allowing supply with the radial taping
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
5
V
Peak collector current
3
A
Collector current
2
A
Collector power dissipation
*
P
C
T
j
T
stg
1
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
200 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
1 A
I
C
=
1 A, I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A, I
B
=
50 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
, f
=
1 MHz
0.1
μ
A
Collector to base voltage
50
V
Collector to emitter voltage
50
V
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
*1
V
EBO
h
FE1
*2
h
FE2
5
V
120
340
80
Collector to emitter saturation voltage
*1
Base to emitter saturation voltage
*1
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
0.15
0.3
V
0.85
1.2
V
Transition frequency
110
MHz
Collector output capacitance
C
ob
23
35
pF
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
2.5
±
0.1
4
±
0
1
±
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0
0
0
1
1
0.65 max.
0.45
+
0.1
0.05
0
+
0
0
3
2
1
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
(HW Type)
Note) In addition to the
lead type shown in
the upper figure,
the type as shown
in the lower figure
is also available.
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT2 Type Package
Rank
R
S
No-rank
h
FE1
120 to 240
170 to 340
120 to 340
Note)*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
Note)*: Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm
2
or more, and the
board thickness of 1.7 mm for the collector portion
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PDF描述
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2SD21770SA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD2177A 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2177A0A 功能描述:TRANS NPN LF AMP 60VCE0 MT-2 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD2177AR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-71
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