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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2137AP |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 250K |
| 代理商： | 2SD2137AP |
2SD2137A
2
SJD00247BED
IC VBE
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Cob VCB
ton, tstg, tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
5
15
10
20
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)Without heat sink
(PC=2.0W)
(1)
(2)
0
6
5
4
3
2
1
012
210
48
6
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=100mA
TC=25C
90mA
80mA
70mA
60mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=8
TC=100C
25C
–25C
0
6
5
4
3
2
1
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=4V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
1 000
100
10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=4V
25C
–25C
TC=100C
0.01
0.1
1
10
1
1 000
100
10
Collector current I
C (A)
Transition
frequency
f
T
(MHz)
VCE=5V
f=10MHz
TC=25C
1
10
100
1
1 000
100
10
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.01
0.1
1
10
100
04
13
2
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=10(IB1=–IB2)
VCC=50V
TC=25C
tstg
tf
ton
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
ICP
IC
t=10ms
DC
t=1ms
Non repetitive pulse
TC=25C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2147C6/RS | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD2147C6/QR | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD2147C6/R | 5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD2150T100 | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2158 | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2137APA | 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2137APQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
| 2SD2137AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
| 2SD2137AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR |
| 2SD2137O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR |
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