參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2128
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220FM, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SD2128
2SD2128
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
60
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
3A
Collector peak current
I
C(peak)
6A
Collector power dissipation
P
C
2W
P
C*
1
25
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
—
V
I
C = 0.1 mA, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
—
V
I
C = 25 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7—
—
V
I
E = 50 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 50 V, IE = 0
I
CEO
—
10
V
CE = 50 V, RBE = ∞
DC current transfer ratio
h
FE
1000
—
20000
V
CE = 3 V, IC = 1.5 A*
1
Collector to emitter saturation
V
CE(sat)1
—
1.2
V
I
C = 1.5 A, IB = 3 mA*
1
voltage
V
CE(sat)2
—
2.5
I
C = 3 A, IB = 30 mA*
1
Base to emitter saturation
V
BE(sat)1
—
2.0
V
I
C = 1.5 A, IB = 3 mA*
1
voltage
V
BE(sat)2
—
3.5
I
C = 3 A, IB = 30 mA*
1
Note:
1. Pulse test.
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PDF描述
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2SD2129_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Switching Applications
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