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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2124S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SD2124S |
2SD2124(L)/(S)
3
Maximum Collector Dissipation Curve
30
20
10
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
10
1.0
3.0
C
C
0.3
0.03
0.01
0.1
3
10
30
300
100
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
I
C(peak)
i
I
C(max)
10
μ
s
Area of Safe Operation
D prto
(
C
5
°
C
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
C
C
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
6
4
10
8
Typical Output Characteristics
120
μ
A
140
160
180
200
30,000
10,000
1,000
3,000
300
0.03
0.1
Collector current I
C
(A)
D
F
0.3
1.0
3.0
V
= 3 V
Ta = 25
°
C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
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PDF描述 |
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