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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2122 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SD2122 |
2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S)
4
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
Collector current I
C
(A)
C
C
(
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
Saturation Voltage vs. Collector Current
Ta = 25
°
C
l
C
= 10 l
B
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Collector current I
C
(A)
B
B
(
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
Saturation Voltage vs. Collector Current
Ta = 25
°
C
l
C
= 10 l
B
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
Typical Transfer Characteristics
0.4
0.8
1.2
2.0
1.6
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
= 5 V
Ta = 25
°
C
10
30
100
300
1,000
Collector current I
C
(A)
G
T
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
Gain Bandwidth Product
vs. Collector Current
V
= 5 V
Ta = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2122L | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122S | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123L | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123S | Silicon NPN Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2122(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2122(L)-(1)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2122(L)-(1)C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2122(L)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA |
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