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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2122(L)B |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SD2122(L)B |
2SD2122(L)/(S), 2SD2123(L)/(S)
3
0
Case temperature TC (°C)
Collector
power
dissipation
Pc
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
10
30
20
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
10
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(A)
3
10
30
100
300
Area of Safe Operation
IC (max)
DC
Operation
(T
C =
25
°C)
2SD2123
2SD2122
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(A)
0
Typical Output Characteristics
10
20
30
40
50
0.2
0.6
0.8
1.0
0.4
IB = 0
P
C =
18
W
TC = 25°C
1 mA
2
3
4
5
6
7
8
9
10
30
100
300
1,000
Collector current IC (A)
DC
current
transfer
ratio
h
FE
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
VCE = 5 V
Ta = 25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2122(S)B | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2123(L)C | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2122(S) | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2123(L)B | POWER TRANSISTOR |
| 2SD2123(S)B | POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2122S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2123(L)-(1)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2123(L)-(1)C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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