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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2115 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 中文描述： | 硅瑞展（低頻功率放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SD2115 |
2SD2115(L)/(S)
3
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
C
C
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
6
4
10
8
Typical Output Characteristics
4.5
4
0.5 mA
1
1.5
2
2.5
3.5
3
5
1,000
300
30
100
10
0.03
0.1
Collector current I
C
(A)
D
F
0.3
1.0
3.0
V
= 5 V
Ta = 25
°
C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Base Current
10
3.0
1.0
C
C
0.3
0.1
2
10
30
100
200
Base current I
B
(mA)
Ta = 25
°
C
I
C
= 2 A
1.5 A
1 A
Saturation Voltage
vs. Collector Current
10
3
1.0
C
C
B
B
0.3
0.1
0.03
0.01
0.03
0.1
Collector current I
C
(A)
1.0
0.3
3.0
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
= 20 I
B
Ta = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2115L | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115S | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115 | Power Bipolar Transistors |
| 2SD2116 | General Driver Applications |
| 2SD2117 | General Driver Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2115(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2115(L)-(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2115(L)/(S) | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252AA |
| 2SD2115(S)-(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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