- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370090 > 2SD2111 (Hitachi,Ltd.) Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2111 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SD2111 |
2SD2111
3
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
10
30
20
Maximum Collector Dissipation Curve
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.3
1.0
3
10
30
100
300
Area of Safe Operation
i
C
(peak)
I
C
(max)
1
μ
s
1
μ
s
P 1m
D prtnT
C
5
°
C
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
5
T
C
= 25
°
C
4
I
B
= 0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
0.5 mA
1
1.5
2.5
2
3
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 3 V
T
C
=75
°
C
°
C
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2112 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD2113 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD2115 | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115L | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
| 2SD2115S | Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2112 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD2113 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD2114 | 制造商:HTSEMI 制造商全稱:Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 功能描述:TRANSISTOR (NPN) |
| 2SD2114_11 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Plastic-Encapsulate Transistor |
| 2SD2114K | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。