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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2107 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD2107 |
2SD2107
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
70
—
—
V
I
C
= 10 μA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
—
—
V
I
C
= 50 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10 μA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
*
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)
—
—
10
μA
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
CE
= 50 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 4 V, I
C
= 1 A*
V
CE
= 4 V, I
C
= 0.1 A*
V
CE
= 4 V, I
C
= 1 A*
I
C
= 2 A, I
B
= 0.2 A*
—
—
10
DC current transfer ratio
2
60
—
200
1
35
—
1
Base to emitter voltage
—
—
1.0
V
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.0
V
1
Base to emitter saturation
voltage
Notes: 1. Pulse test.
2. The 2SD2107 is grouped by h
FE1
as follows.
V
BE(sat)
—
—
1.2
V
I
C
= 2 A, I
B
= 0.2 A*
1
B
C
60 to 120
100 to 200
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參數(shù)描述 |
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