參數(shù)資料
型號： 2SD2019
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
中文描述： npn型硅外延（外延npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SD2019
2SD2019
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
150
—
—
V
I
C
= 1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
—
—
V
I
C
= 10 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE
h
FE
h
FE
V
CE(sat)
—
—
5
μA
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
V
CE
= 65 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.15 A*
V
CE
= 2 V, I
C
= 1 A*
V
CE
= 2 V, I
C
= 1.5 A*
I
C
= 1 A, I
B
= 1 mA*
—
—
5
μA
DC current transfer ratio
2000
—
—
1
5000
—
30000
1
1000
—
—
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.5
V
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
2.0
V
I
C
= 1 A, I
B
= 1 mA*
1
C to E diode forward voltage
Note:
1. Pulse test.
V
D
—
—
3.0
V
I
D
= 1.5 A*
1
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