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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2011B |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 100V的五（巴西）總裁|甲一（c）|園區(qū) |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | 2SD2011B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2011C | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
| 2SD2069P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92 |
| 2SD2069Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-92 |
| 2SD2096D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
| 2SD2096E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2011C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
| 2SD2012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SD2012(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012,F(J | 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
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