參數(shù)資料
型號： 2SD1992A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SD1992A
2SD1992A
Transistors
2
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
0
160
40
120
80
140
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
100
60
200
600
400
800
100
500
300
700
C
C
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
20
4
8
16
12
18
2
6
14
10
0
800
700
600
500
400
300
200
100
I
B
=
10 mA9 8 mA
76 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
C
C
T
a
=
25
°
C
0
10
8
6
4
2
Base current I
B
(mA)
9
7
5
3
1
0
800
700
600
500
400
300
200
100
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
C
I
C
(
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
C
V
C
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
0.01
0.01
0.03
Collector current I
C
(A)
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
100
0.1
0.3
1
3
10
B
V
B
I
C
/
I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
300
250
200
150
100
50
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
F
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
1
3
10
30
100
0
240
200
160
120
80
40
2
20
5
50
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
12
10
8
6
4
2
3
10
30
100
2
20
5
50
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
1
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
3
10
30
100
300
1000
0
120
100
80
60
40
20
C
C
I
C
=
2 mA
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1993 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)
2SD1994A Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)
2SD1995 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1996 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD2000 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)
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參數(shù)描述
2SD1992A0A 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1992AR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1992A-R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1994A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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