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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1956/EF |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | 2SD1956/EF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1186/DE | 1.5 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1289C7/DE | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD2038T114/DF | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2398C7 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN |
| 2SB1292/EF | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1957 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 120V 7A 30W BCE |
| 2SD1958 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W |
| 2SD1963T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1963T100S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1979 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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