參數(shù)資料
型號： 2SD1948
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SD1948
相關PDF資料
PDF描述
2SD2075 10 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2089 3.5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1571 3 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2095 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1950-T2VL 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1949Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1949T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1949T106Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1949T106R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1950 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-6230V 2A .4W ECB SURFACE MOUNT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*