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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1939 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅達林頓晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2SD1939 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1940 | High-Voltage Switching, AF25 to 30W Output Applications |
| 2SD1950 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SD1970 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SD1974 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD1976 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1943 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB 80V 3A 40W BCE |
| 2SD1947A(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, NPN, Power, D |
| 2SD1949Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1949T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1949T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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