參數(shù)資料
型號: 2SD1922
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 153K
代理商: 2SD1922
ATP112
No. A1754-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0V
--60
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--60V, VGS=0V
--1
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±16V, VDS=0V
±10
μA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--13A
24
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--13A, VGS=--10V
33
43
RDS(on)2
ID=--7A, VGS=--4.5V
42
59
RDS(on)3
ID=--3.5A, VGS=--4V
45
63
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
1450
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
155
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
125
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
10
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
80
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
150
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
120
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
33.5
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
5.3
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A
7.9
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--25A, VGS=0V
--0.97
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=13A
RL=2.3Ω
VDD= --30V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP112
IT15590
75
°C
25
°C
T
c=
--25
°C
--25
°C
T
c=75
°C
--0.4
--0.2
--0.6 --0.8 --1.0
--2.0
--1.6
--1.2 --1.4
--1.8
0
--5
--25
--15
--20
--10
0
--10
--30
--20
--40
--50
--60
0
IT15591
--2.0
--1.0
--3.0
--1.5
--0.5
--2.5
--4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0
--3.5
0
--3.0V
VGS= --2.5V
--16.0V
--3.5V
--10.0V
VDS= --10V
Single pulse
--8.0V
--6.0V
--4.5V
--4.0V
25
°C
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Tc=25
°C
Single pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1934P 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD1938(F)S 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1938S 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD1938T 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SD1940D 6 A, 85 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1933 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP80V 4A 30W BCE
2SD1936T-SSH 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD1938 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1938(F)-S(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
2SD1938FSL 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO MINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR