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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1894 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 中文描述： | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TOP-3F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SD1894 |
2
Power Transistors
2SD1894
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
BE(sat)
— I
C
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
80
60
20
50
70
40
10
30
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
12
10
8
6
4
2
T
C
=25C
I
B
=5mA
1mA
0.8mA
0.7mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C
/I
B
=1000
T
C
=–25C
100C
25C
B
B
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C
/I
B
=1000
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE
=5V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0
16
4
12
8
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=1000 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1895 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
| 2SD1912 | LOW FREQUENCY POWER AMP APPLICATIONS |
| 2SD1914 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS |
| 2SD1934 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SD1938 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1898T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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