參數(shù)資料
型號: 2SD1891Q
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 171K
代理商: 2SD1891Q
3
Power Transistors
2SD1891
Rth(t) —t
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
0.1
1
10
100
10000
1000
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T=10V × 0.2A (2W) and without heat sink
(2) P
T=10V × 1.0A (10W) and with a 100 × 100 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1896/CD 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SD1896/C 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
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參數(shù)描述
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2SD1898T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1898T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1898T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2