參數(shù)資料
型號： 2SD1863TV2/P
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2SD1863TV2/P
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Transistors
2/4
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5V
Collector current
IC
1
A (DC)
2
A (Pulse)
1
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Collector power
dissipation
PC
0.5
2
1
3
10
0.3
1
W
W (Tc=25
°C)
W
1 Pw=20ms, duty=1 / 2
2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector copper plating 1cm2 or larger.
3 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
2SD1898
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
!
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
120
80
5
120
2SD1863
2SD1733, 2SD1898
2SD1768S
0.15
100
20
1
0.4
390
VIC=50
A
IC
=1mA
IE
=50
A
VCB
=100V
VEB
=4V
IC/IB
=500mA/20mA
VCE
=10V, IE=
50mA, f=100MHz
VCE
=3V, IC=0.5A
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
82
390
120
390
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Measured using pulse current
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PDF描述
2SD1771AP 1 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD1772AQ 1 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1772Q 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1775AQ 2 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1863TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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