- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄31687 > 2SD1862TV6Q 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1862TV6Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 2SD1862TV6Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1864TV4/QR | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1776TV6/P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4013TV3M | 20 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4011TV2P | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA874MQ | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1863 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR ATV 100V 1A 1W ECB |
| 2SD1863TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1863TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1864TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。