型號: | 2SD1857TV6N |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 101K |
代理商: | 2SD1857TV6N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB909MC2Q | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1857ATV4/NP | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1864TV2/QR | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1864TV3/Q | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1866TV4 | 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1858 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB P-2SD1858R |
2SD1858R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1858TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1858TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1858TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |