參數(shù)資料
型號: 2SD1857ATV2Q
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ATV, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 136K
代理商: 2SD1857ATV2Q
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
Transistors
Rev.A
3/3
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.10 Safe operating area (2SD1918)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.1 0.2
0.5
2
1
5
10 20
50
100 200
500 1000
10
5
2
1
200m
500m
100m
10m
2m
1m
5m
20m
50m
Ic Max (Pulse)
DC
Pw=100ms
Pw=10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1857ATV2/Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1918TL/Q 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1918TLQ 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1857ATV2/P 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1868CTZ 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1857TV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1857TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1857TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1858 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTORSUB P-2SD1858R
2SD1858R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR