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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1857ATL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ATV, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | 2SD1857ATL |
2/2
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.B
Data Sheet
2SD1918 / 2SD1857A
Electrical characteristic curves
Ta
=25°C
01
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
10mA
9mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
IB
=1mA
8mA
VCE=5V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.01
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
= 25°C
Ta
=25°C
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
1000
500
200
100
20
50
10
1
2
5
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC current gain vs. collector current (
Ι )
VCE
=10V
5V
VCE
=5V
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
1000
500
200
100
20
50
10
1
2
5
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.4 DC current gain vs. collector current (
ΙΙ )
Ta
=100°C
25
°C
25°C
Ta
=25°C
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.01
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB
=20
10
IC/IB
=10
0.01
0.02 0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.01
0.02
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(
V)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ta
= 25°C
25
°C
25°C
VBE(sat)
VCE(sat)
100
°C
VCE
=5V
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
1000
500
200
100
20
50
10
1
2
5
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Fig.7 Gain bandwidth products vs. emitter current
Ta
=25°C
f
=1MHz
IE
=0A
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
1000
500
200
100
20
50
10
1
2
5
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(p
F)
Fig.8 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Ta
=25°C
Ta
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.9 Safe operating area (2SD1918)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
0.1 0.2
0.5
2
1
5
10 20
50
100 200
500 1000
10
5
2
1
200m
500m
100m
10m
2m
1m
5m
20m
50m
Ic Max (Pulse)
DC
Pw=100ms
Pw=10ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1857ATV2Q | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2/Q | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TL/Q | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1918TLQ | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1857ATV2/P | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1857ATV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1857TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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