參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1855AF
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 4A條一(c)|至220VAR
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大小: 131K
代理商: 2SD1855AF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1857AN TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1896D TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SD1896E TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SD1896F TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SD1897D Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1856 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1857ATV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1857ATV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1857TV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1857TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2