參數(shù)資料
型號： 2SD1820A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SD1820A
2SD1820A
Transistors
2
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
20
4
8
16
12
8 mA
7 6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
I
B
=
10 mA
C
C
T
a
=
25
°
C
0
10
8
6
4
2
Base current I
B
(mA)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
C
I
C
(
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
C
V
C
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
0.01
0.01
0.03
Collector current I
C
(A)
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
100
0.1
0.3
1
3
10
B
V
B
I
C
/
I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
0
300
250
200
150
100
50
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
F
F
1
3
10
30
100
0
240
200
160
120
80
40
2
20
5
50
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
12
10
8
6
4
2
3
10
30
100
2
20
5
50
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
1
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
3
10
30
100
300
1 000
0
120
100
80
60
40
20
C
C
I
C
=
2 mA
T
a
=
25
°
C
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
相關PDF資料
PDF描述
2SD1820 Silicon NPN epitaxial planer type
2SD1821 Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification)
2SD1821A Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification)
2SD1823 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1824 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1820A0L 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SD1820GRL 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18210RL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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