參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1804G-T-TN3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 198K
代理商： 2SD1804G-T-TN3-R
2SD1804
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-006,D
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Ta=25°C
1
W
Collector Dissipation
TC=25°C
PD
20
W
Collector Current
IC
8
A
Collector Current(PULSE)
IC(PULSE)
12
A
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55~+150
°C
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=10μA, IE=0
60
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=10μA, IC=0
6
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V, IE=0
1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
1
μA
hFE1
VCE=2V, IC=0.5A
70
400
DC Current Gain
hFE2
VCE=2V, IC=6A
35
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCE=10V, f=1MHz
65
pF
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=4A, IB=0.2A
200
400
mV
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=4A, IB=0.2A
0.95
1.3
V
Storage Time
tSTG
See test circuit
500
ns
Fall Time
tF
See test circuit
20
ns
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
Q
R
S
T
RANGE
70-140
100-200
140-280
200-400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1804G-Q-TM3-T 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251
2SD1804G-Q-TN3-R 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1804G-S-TN3-R 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1805G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1805 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1805F-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1805F-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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