參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1801-TL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP-FA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 45K
代理商： 2SD1801-TL
2SB1201/2SD1801
No.2112–3/5
--2.4
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
--2.0
0
--0.4
--0.8
--2.4
--2.0
--1.6
--1.2
IC -- VCE
ITR09144
IC -- VCE
ITR09145
2.4
1.6
1.2
0.8
0.4
2.0
0
0.4
0.8
2.4
2.0
1.6
1.2
--50mA
--20mA
IB=0
--10mA
--2mA
--8mA
--6mA
--4mA
2SB1201
IB=0
2mA
15mA
25mA
40mA
50mA
4mA
8mA
2SD1801
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1.6
--1.2
--2.4
--2.0
--0.8
--0.4
0
IC -- VBE
ITR09148
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1201
VCE= --2V
IC -- VBE
ITR09149
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
100
23
5
57
7
--0.01
--0.1
23
5
23
--1.0
ITR09150
2SB1201
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
hFE -- IC
ITR09151
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
1.6
1.2
2.4
2.0
0.8
0.4
0
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1801
VCE=2V
--1200
--800
--600
--400
--200
--1000
0
--2
--4
--12
--10
--8
--6
IC -- VCE
IB=0
ITR09146
2SB1201
--7mA
--6mA
--5mA
--4mA
--3mA
--2mA
--1mA
IC -- VCE
ITR09147
1200
800
600
400
200
1000
0
02
4
12
10
8
6
2SD1801
IB=0
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
2
3
5
7
1000
2
3
5
100
23
5
57
7
0.01
0.1
23
5
23
1.0
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2SD1801
VCE=2V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
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2SB1202U 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD1802 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD1802S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802TTLE 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
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