參數(shù)資料
型號: 2SD1796
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: 2SD1796
21
No. 1 (TO-3P)
No. 2 (MT-200)
No. 3 (TO-220)
No. 4 (TO-220F)
No. 5 (TO-3PF)
External Dimensions
15.6±0.3
5.45±0.1
9.6
a
b
±0.2
4.8±0.2
2.0±0.1
BC
E
3.2φ
±0.1
2
+0.2
0.1
3
+0.2
0.1
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
1.7
+0.2
0.1
20.0min
19.9
2.0
4.0
3.5
±0.3
5.0
±0.7
a. Part No.
b. Lot No.
15.6
a
b
±0.2
5.5±0.2
3.45±0.2
1.75±0.15
2.15±0.15
5.45±0.1
3.35
0.8
±0.2
5.45
1.5
BC
E
4.4
1.5
±0.1
3.3
φ
±0.2
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
23.0
5.5
±0.3
9.5
±0.2
0.8
1.6
3.3
3.0
±0.2
a. Part No.
b. Lot No.
36.4±0.3
24.4
a
9
2
3
b
BCE
±0.2
6.0
2.1
±0.2
5.45±0.1
1.05
+0.2
0.1
0.6
+0.2
0.1
3.0
+0.3
0.1
20.0min
4.1max
21.4
7
±0.3
3.2
2-
φ
±0.1
a. Part No.
b. Lot No.
10.2±0.2
4.8±0.2
2.0
1.4
2.5
BC E
±0.1
3.75
φ
±0.2
0.65
1.35
a
b
+0.2
0.1
3.0
±0.2
8.8
4.0max
±0.2
16.0
12.0min
±0.7
a. Part No.
b. Lot No.
10.0±0.2
4.2±0.2
2.8
0.5
C
1.35±0.15
2.4±0.2
2.2±0.2
3.3
a
b
a. Part No.
b. Lot No.
φ
±0.2
0.85
2.54
+0.2
-0.1
0.45
+0.2
-0.1
16.0
13.0min
±0.3
8.4
±0.2
4.0
±0.3
0.8
3.9
±0.2
(unit: mm)
2-1 Power Transistors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1567 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2081 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1420 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P
2SB1259 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2017 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1799-TL-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SD1801S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2