參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1784
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 156K
代理商： 2SD1784
2SD1784
2004-07-07
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington)
2SD1784
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Switching Applications
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE = 4000 (min) (VCE = 2 V, IC = 150 mA)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
10
V
Collector current
IC
1.5
A
Base current
IB
50
mA
Collector power dissipation
PC
(Note)
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: 2SD1784 mounted on a ceramic substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
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PDF描述
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2SD1788-7000 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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