- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄246851 > 2SD1766T100Q 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1766T100Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SD1766T100Q |
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
2/3
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
40
32
5
82
0.5
100
30
1
0.8
390
VIC
=50
μA
IC
=1mA
IE
=50
μA
VCB
=20V
VEB
=4V
IC/IB
=2A/0.2A
VCE
=5V, IE= 500mA, f=100MHz
VCE
=3V, IC=0.5A
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
μA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
120
2SD1862
2SD1766,2SD1758,
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Measured using pulse current.
Packaging specifications and hFE
2SD1766
Type
T100
1000
hFE
TL
2500
TV2
2500
2SD1758
2SD1862
PQR
QR
Package
Taping
Code
Basic ordering
unit (pieces)
hFE values are classified as follows :
Item
hFE
R
180 to 390
Q
120 to 270
P
82 to 180
Electrical characteristic curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
02.0
1000
2000
1
200
500
100
20
50
10
2
5
0.2
0.6
0.4
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Ta
=25
°C
VCE
=3V
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
Ta
=25°C
IB
=0A
3.0mA
2.7mA
2.4mA
2.1mA
1.8mA
1.5mA
1.2mA
0.9mA
0.6mA
0.3mA
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.3
DC current gain vs. collector
current
5
500
10
20
50 100 200
500 1A 2A
200
100
50
20
Ta
=25°C
VCE
=3V
1V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6806PBF | 6.5 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 2SC4010TV4E | 150 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK1871DL | 15 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SD1271AQ | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1754AP | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1766T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1767 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR SC-62 80V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT |
| 2SD1767T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1767T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1768STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。