參數(shù)資料
型號： 2SD1766
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
中文描述： 中等功率晶體管（中等功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： 2SD1766
259
Transistors
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /
2SD1919 / 2SD1227M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1227M Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1758 Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1862 Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1919 Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1055 Medium Power Transistor (32V, 2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1766T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1766T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1766T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1767 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR SC-62 80V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT
2SD1767T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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