參數(shù)資料
型號: 2SD1682-T
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商: 2SD1682-T
2SB1142 / 2SD1682
No.2060-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
140
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(25)16
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--250)110
(--500)300
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(35)35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(350)550
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(30)30
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7516-002
12
3
8.0
1.6
0.8
0.7
2.4
4.8
0.75
4.0
11.0
15.5
7.5
3.0
1.5
1.7
1.0
1.4
1.0
3. 6
3.3
0.8
3.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126ML
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
2SB1142
2SD1682
IB=0mA
8mA
10mA
20mA
18mA
16mA
14mA
12mA
2mA
4mA
6mA
ITR09032
0
--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
--20mA
--25mA
--30mA
--10mA
--15mA
--2mA
--3mA
--1mA
--5mA
IB=0mA
ITR09031
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1142-R 2.5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1682-R 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1186AD 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SD2400A 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN
2SB1186A 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1683S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1683T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1684 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB
2SD1684T 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126
2SD1685F 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2