參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1682-S
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126ML, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商: 2SD1682-S
2SB1142 / 2SD1682
No.2060-4/5
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Tc
Case Temperature, Tc --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
0
2.0
1.5
1.0
0.5
20
060
40
80
100
140
120
160
IT11602
No
heat
sink
2SB1142 / 2SD1682
0
12
10
8
6
4
2
20
060
40
80
100
140
120
160
IT11603
Ideal
radiation
2SB1142 / 2SD1682
10ms
1.0
5
7
2
3
10
5
7
2
3
5
7
2
3
0.1
10
1.0
25
37
100
25
37
57
DC
operation
Ta=25
°C
DC
operation
Tc=25
°C
ICP=5A
1ms
IC=2.5A
ITR09045
2SB1142 / 2SD1682
--0.01
--0.1
23
5
77
2
3
5
2
3
5
7 --1.0
0.01
0.1
2
77
35
2
7
32
3
55
1.0
--1.0
--10
5
7
3
5
7
3
2
1.0
10
7
5
3
7
5
3
2
ITR09043
ITR09044
Ta= --25°C
25°C
2SB1142
IC / IB=20
2SD1682
IC / IB=20
75°C
Ta= --25°C
25°C
75°C
100ms
--0.1
--0.01
23
5
7
23
5
2
3
5
7
--1.0
--1000
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
--100
--10
ITR09041
ITR09042
0.01
0.1
7
2
35
7
2
35
2
3
5
7 1.0
1000
3
5
2
3
7
2
5
3
7
2
100
10
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
2SB1142
IC / IB=20
2SD1682
IC / IB=20
25
°C
Ta=25
°C
Single pulse
For PNP, minus sign is omitted.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1682-U 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1682 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1142-T 2.5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1682-U 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1682 2.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1683S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1683T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1684 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB
2SD1684T 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126
2SD1685F 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2