參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1664L-R-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： 2SD1664L-R-AB3-R
2SD1664
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R208-025.C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
32
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
DC
1
A
Collector Current (Duty=1/2, PW=20ms)
Pulse
IC
2
A
Collector Power Dissipation
PC
0.5
W
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC= 50μA
40
V
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC= 1mA
32
V
Emitter Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=50μA
5
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=20V
0.5
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB= 4V
0.5
μA
DC Current Gain
hFE
VCE= 3V, Ic= 100mA
82
390
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC/IB=500mA /50mA
0.15
0.4
V
Transition Frequency
fT
VCE=5V, IE=-50mA, f=100MHz
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB= 10V, IE= 0A, f=1MHz
15
pF
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
P
Q
R
RANGE
82-180
120-270
180-390
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1666-R 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1666S 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1133R 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1133Q 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1669-Q 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1664T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1664T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1666 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 3A 20W BCE
2SD1667 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML60V 5A 20W BCE
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