參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1633Q
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 247K
代理商： 2SD1633Q
2SD1633
2
SJD00207AED
VBE(sat) IC
hFE IC
ton, tstg, tf IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
Safe operation area
Rth t
0
10
30
20
40
0
150
25
125
50
100
75
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
06
15
24
3
0
2
4
6
10
8
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
IB=7.0mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
3.0mA
5.0mA
0.5mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
–25C
25C
TC=100C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
100C
0.1
1
10
100
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=3V
25C
–25C
TC=100C
0.01
0.1
1
10
100
08
26
4
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=1000
(IB1=–IB2)
VCC=50V
TC=25C
tstg
tf
ton
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=150s
t=10ms
DC
t=1ms
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
1
102
101
10
102
103
104
102
10
1
101
104
103
102
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
Time t (s)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1640R 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1640S 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1643 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1663 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1664L-Q-AB3-R 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD16400Q 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD16400R 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1641 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD16450R 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 1A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1647 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220AB50V 2A 25W BCE
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