參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1625
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 700 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： 2SD1625
2SB1125 / 2SD1625
No.2017-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)50mA
5000
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
(3000)4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)50mA
(170)200
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(18)9
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)0.1mA
(--)0.8
(--)1.2
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)0.1mA
(--)1.3
(--)2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)10
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SD1625
IB=0μA
ITR08924
600
500
300
400
200
100
0
02
6
5
4
13
5
μA
30μ
A
25μ
A
20μ
A
15μA
10
μA
--800
--700
--500
--300
--600
--400
--200
--100
0
--2
--7
--5
--6
--4
--1
--3
--5
μA
--10μA
--15μA
--20μA
--25μA
--30
μA
--35
μA
IB=0μA
ITR08923
2SB1125
C
E
B
2SD1625
C
E
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1126 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1626 1500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1127S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SB1127T 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
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參數(shù)描述
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