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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1624G-U-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SD1624G-U-AB3-R |
2SD1624
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R208-005.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Collector Current vs.
Base to Emitter Voltage
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
0
0.2
0.4
0.6
1.0
1.2
Collector
Curren
t,
I C
(A)
VCE=2V
0.8
25
℃
-2
5
℃
T
a=
75
℃
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.0
DC Current Gain vs. Collector Current
Collector Current, IC (A)
0.01
0.1
DC
Current
Gain,
h
FE
7
1000
5
3
2
100
5
3
2
23
1.0 23 5
VCE=2V
25℃
-25℃
57
23
5 7
7
Ta=75℃
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1624G-R-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624L-R-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624L-S-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624U | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1624-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1624S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624T-TD-E | 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1624T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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