參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1610
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
中文描述： npn型硅外延（外延npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SD1610
2SD1609, 2SD1610
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SD1609
2SD1610
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
160
—
—
200
—
—
V
I
C
= 10 μA, I
E
= 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
160
—
—
200
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
5
—
—
V
I
E
= 10 μA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
—
10
—
—
—
μA
V
CB
= 140 V, I
E
= 0
V
CE
= 160 V, I
E
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
—
—
—
—
—
10
DC current tarnsfer
ratio
h
FE1
*
1
60
—
320
60
—
320
h
FE2
30
—
—
30
—
—
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
I
C
= 30 mA, I
B
= 3 mA
Base to emitter voltage V
BE
Collector to emitter
saturation voltage
—
—
1.5
—
—
1.5
V
V
CE(sat)
—
—
2
—
—
2
V
Gain bandwidth product f
T
Collector output
capacitance
Note:
1. The 2SD1609 and 2SD1610 are grouped by h
FE1
as follows.
—
140
—
—
140
—
MHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Cob
—
3.8
—
—
3.8
—
pF
B
C
D
60 to 120
100 to 200
160 to 320
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1609 Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
2SD1616A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD1616 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD1616A NPN SILICON TRANSISTORS
2SD1616 NPN SILICON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1614-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold T/R
2SD1614-T1-AZ(XK) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SD1614-T1-AZ(XL) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SD1615A-GP-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bipolar Power Power Mini-Mold Tape & Reel 制造商:Renesas 功能描述:0
2SD1615A-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,1.0A,P-MINIMOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold T/R
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